Текст страницы
РУКОВОДСТВО ПО ФЛЕШ-ПАМЯТИ
• Твердотельные: флэш-накопители, как полупроводниковые устройства хранения данных, не имеют
движущихся частей и поэтому не подвержены механическим отказам, характерным для жестких дисков. Их
общая надежность хранения данных позволила им занять ведущее положение на рынке ориентированных
на удобство портативных продуктов памяти, работающих с уровнем шума 0 децибел.
•
Компактный физический размер (или форм-фактор): флеш-накопители созданы для обеспечения удобства
транспортировки. Удобство является важным критерием, особенно в потребительской и корпоративной
областях применения.
•
Высокая надежность хранения данных: Флеш-память очень надежна и многие типы устройств флеш-памяти
также имеют проверку кода коррекции ошибок (ECC) и улучшенную технологию выравнивания износа.
•
Хранение данных на флеш-памяти Kingston: во флеш-устройствах Kingston в основном используется флеш-
память SLC/MLC/TLC/QLC. Хранение данных на флеш-памяти является динамическим, поскольку время
циклов памяти влияет на хранение данных. Для сохранности в течение длительного времени необходимо
выполнять резервное копирование важной информации на другие носители.
•
Технология выравнивания износа: флеш-накопители Kingston оснащены контроллерами, использующими
усовершенствованную технологию выравнивания износа, которая равномерно распределяет количество
циклов P/E (программа/стирание) по флеш-памяти. Таким образом, выравнивание износа продлевает срок
службы карты памяти (подробнее см. в следующем разделе, “Срок службы ячеек флеш-памяти Kingston”).
•
Срок службы ячеек флеш-памяти: ячейки энергонезависимой флеш-памяти имеют конечное число циклов
программирования-стирания. Проще говоря, при каждой записи или стирании данных с устройства флеш-
памяти количество циклов записи-стирания снижается и постепенно доходит до точки, после которой
дальнейшее использование флеш-памяти невозможно.
•
На время создания данного документа для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) возможно
до 10 000 циклов записи/стирания (P/E), исходя из текущего процесса литографии. Для флеш-памяти с
одноуровневыми ячейками (SLC) возможно до 100 000 циклов записи/стирания (P/E). Для флеш-памяти
с трехуровневыми ячейками (TLC) возможно до 3000 циклов записи/стирания (P/E). Для флеш-памяти
с четырехуровневыми ячейками (QLC) возможно до 1000 циклов записи/стирания (P/E). Литография
кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке службы ячейки, который уменьшается со
снижением размера ячейки.
•
Технология флеш-памяти: для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) используется несколько
уровней на ячейку, что позволяет хранить больше бит с помощью того же количества транзисторов.
Флеш-технология MLC NAND использует четыре возможных состояния для каждой ячейки. В случае
одноуровневых ячеек (SLC) каждая ячейка может иметь два состояния. Для трехуровневых ячеек (TLC) биты
могут храниться в восьми возможных состояниях. Для четырехуровневых ячеек (QLC) биты могут храниться
в шестнадцати возможных состояниях. Литография кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке
службы ячейки, который уменьшается со снижением размера ячейки.
•
Коэффициент увеличения объема записи: коэффициент увеличения объема записи или «WAF» — это
важнейший показатель, используемый для оценки эффективности записи данных в накопителях на основе
флеш-памяти NAND, который присутствует во всех устройствах флеш-памяти. Коэффициент увеличения
объема записи — это соотношение между объемом данных, записанных хостом, и объемом данных,
записанных на микросхемы флеш-памяти. Высокий показатель WAF свидетельствует о неэффективном
управлении данными и может привести к снижению производительности, увеличению износа и
сокращению срока службы флеш-памяти.
•
Автоматическое переназначение сбойных секторов: флеш-контроллеры Kingston автоматически блокируют
разделы со сбойными ячейками памяти («сбойными блоками») и перемещают данные в другие разделы
(«запасные блоки»), чтобы избежать повреждения данных. При заводском форматировании (описанном
в разделе 2) на устройстве флеш-памяти выделяются запасные блоки для постепенного переназначения
сбойных секторов с целью увеличения срока службы и надежности устройства флеш-памяти.
•
Высококачественные разъемы: во флеш-накопителях Kingston всегда используются высококачественные
соединительные разъемы для обеспечения длительного и надежного использования устройств флеш-
памяти.
•
Рабочая температура и влажность:
подробнее >>