Текст страницы
РУКОВОДСТВО ПО ФЛЕШ-ПАМЯТИ
Флеш-память NOR
Флеш-память NAND
Высокоскоростной доступ
Yes
Yes
Страничный режим доступа к данным
Нет
Yes
Произвольный доступ байтового уровня
Yes
Нет
Типичное использование
Память сетевого устройства
Промышленное хранилище данных
4.1 Флеш-память NOR
Флеш-память NOR, получившая название от технологии структурирования данных (Not OR), является
высокоскоростной технологией флеш-памяти. Флеш-память NOR обеспечивает возможность высокоскоростного
произвольного доступа, позволяя считывать и записывать данные в определенных областях памяти без
необходимости доступа к памяти в последовательном режиме. В отличие от флеш-памяти NAND, флеш-память
NOR позволяет считывать данные минимальным объемом до одного байта. Флеш-память NOR демонстрирует
отличные результаты в областях применения, которые требуют произвольного считывания или записи данных.
NOR наиболее часто встраивают в сотовые телефоны (для хранения операционной системы телефона) и КПК, а
также используют в компьютерах для хранения программ BIOS, выполняющих функции при запуске.
4.2 Флеш-память NAND
Флеш-память NAND была изобретена после создания флеш-памяти NOR и получила название от технологии
структурирования данных (Not AND). Флеш-память NAND выполняет считывание и запись в высокоскоростном
последовательном режиме, оперируя данными небольшого блокового размера («страницами»). Флеш-память
NAND может считывать или записывать данные отдельными страницами, но не может считывать отдельные
байты, как память NOR.
Флеш-память NAND обычно используется в твердотельных накопителях, устройствах чтения флеш-носителей
для воспроизведения аудио и видео, ресиверах цифрового телевидения, цифровых камерах, сотовых
телефонах (для хранения данных) и в других устройствах, в которых данные обычно записываются или
считываются последовательно.
Например, в большинстве цифровых камер используется цифровая “пленка” на основе флеш-памяти NAND,
потому что фотографии обычно снимаются и хранятся последовательно. Флеш-память NAND также обычно более
эффективна при считывании фотографий, потому что очень быстро передает целые страницы данных. Флеш-
память NAND является носителем последовательного хранения и идеально подходит для хранения данных.
Флеш-память NAND дешевле, чем флеш-память NOR, и может иметь большую емкость при том же размере кристалла.
Флеш-память, хранящая один бит на ячейку (например, значение «0» или «1» на ячейку), называется памятью с
одноуровневыми ячейками (SLC).
5.0 Флеш-технологии наложения кристаллов, 3D NAND и многоуровневых/
многобитовых ячеек
Для экономного повышения количества двоичной памяти, помещающейся на микросхеме флеш-памяти,
производители используют технологии памяти 3D NAND и многоуровневых/многобитовых ячеек. Эти
технологии позволяют микросхеме флеш-памяти хранить больше данных на одной микросхеме.
5.1 3D NAND и наложение кристаллов
Флеш-технологии памяти 3D NAND и наложения кристаллов представляют собой значительный прорыв
в производстве полупроводниковой памяти. 3D NAND включает в себя вертикальную укладку слоев ячеек
памяти в пределах одной микросхемы, таким образом, предлагая более высокую емкость и улучшенную
производительность по сравнению с традиционной планарной NAND. Хотя наложение кристаллов обычно
находит больше применения за пределами флэш-технологии памяти NAND, его все же можно использовать
вместе с технологией 3D NAND, что делает возможными такие конфигурации, как DDP (двухкристальный
корпус), QDP (четырехкристальный корпус), ODP (восьмикристальный корпус), вплоть до HDP (корпус из 16
кристаллов). Технология наложения кристаллов обеспечивает более высокую пропускную способность в
небольших форм-факторах, таких как USB-накопитель или твердотельные накопители M.2. Двухкристальные
(Dual-Die) и четырехкристальные (Quad-Die) корпусы Эти конфигурации сочетают в себе преимущества обеих
технологий, включая увеличенный объем хранилища, повышенную производительность и экономичность.
подробнее >>